高純度金属シリコンとその製錬法

Abstract

本発明は、とくに太陽電池セルの製造のためのシリコンを対象としており、該シリコンが含有する不純物合計は100ppmと400ppmの間に含まれ、ホウ素含有率は0.5ppmと3ppmの間に含まれ、リン含有率とホウ素含有率との間の比は1と3の間に含まれ、金属元素含有率は30ppmと300ppmの間に含まれる。本発明はまた、酸素又は塩素で精錬され、金属元素を500ppm未満含有する金属シリコンから、この品位のシリコンを製造する方法も対象としており、該方法は以下を有する:・高温るつぼを備えた電気炉で、中性雰囲気下で、精錬シリコンを再溶融すること、・プラズマ下での精錬を実現するために、高温るつぼを備えた電気炉内に溶融シリコンを移送すること、・アルゴンと、塩素、フッ素、HClおよびHFで構成されるグループに属する少なくとも一つの気体との混合物をプラズマ発生気体として、プラズマ下で精錬すること、・分離凝固が実現される鋳造鋳型内へ、制御雰囲気下で鋳込みを行うこと。

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